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教育背景：
1978年9月-1980年7月 江西省高安市高安中學
1980年9月-1984年7月 中山大學物理系 本科
1984年9月-1985年7月 成都電子科技大學 研究生
1984年9月-1987年9月 電子工業(yè)部十三研究所 研究生
1990年9月-1993年7月 吉林大學電子工程系，博士生
任教/工作經歷：
1987年9月1990年8月 電子工業(yè)部十三研究所 助理工程師
1993年9月-1995年12月 廈門大學物理系 講師
1995年9月-1999年9月 廈門大學物理系 副教授
1999年10月-2001年8月 日本千葉大學工學部VBL實驗室，副研究員；
2001年9月-2003年12月 廈門大學物理系 副教授
2003年12月-今 廈門大學物理系 教授 博導
另外1994和1997年二次到 白俄羅斯科學院進行合作研究
研究：
本人長期從事InP基材料和器件的研究工作和GaN基材料器件研究10年。本人非常熟悉這二種材料的生長和器件工藝，有極強的半導體材料、器件及相關領域背景知識。
本人的研究經驗總結如下：
1。外延生長：本人利用液相外延（LPE）和MOCVD生長InGaAs (p)/InP 和GaN多年，并曾安裝一臺MOCVD設備。
2.測量表征技術：本人熟悉和操作 X射線衍射（HR-XRD）,原子力顯微鏡（ AFM），霍爾（ Hall）系統(tǒng)，光熒光（ PL）、場發(fā)射電子顯微鏡（ FE-SEM），橢圓偏振儀、電化學CV等等。
3.器件工藝：本人非常熟悉包括光刻 the operation of an e-gun evaporator, RTA system, RIE, PECVD and wires bonding等半導體器件工藝和光纖和光電器件的。
4.完成器件：
本人設計和制備InP、GaAs和GaN等多種III-V半導體器件；
InGaN/GaN 發(fā)光二極管（LED） ；
1.48?m InGaAs/InP 應變量子阱激光器（ LD）；
InGaAs(P)/InP 異質結光電晶體管 (HPT)；
InGaAs(P)/InP PIN 光電探測器 (PD)。
5.理論：利用 K. P. 理論計算InGaAs/InP應變量子阱的能帶和性能
6.發(fā)表學術論文近100篇，申請專利10多項
7.課題：
“863”項目主要參加者完成：InGaAs/InP應變量子阱激光器的研究
曾作為下面二個國家“七.五”功關項目負責人：a. 高速 InGaAs/InP PIN 光電探測器；b. InGaAs/InP PIN 光電探測器的可靠性分析
省自然科學基金負責人完成：實用化InGaAs/InP PIN光電二極管的研究
省自然科學基金負責人完成：高速PIN-FET單片集成電路材料的研究
福建省青年重點基金負責人完成：GaN藍綠光材料MOCVD生長技術
國家自然科學基金負責人完成：無應變InAlGaN/GaN PIN 紫外光探測器研究
省自然科學基金負責人完成：高速PIN-FET單片集成電路材料的研究
省自然科學基金負責人完成：GaN 基PIN紫外光電探測器的研制
863計劃負責人完成：GaN基材料P型低接觸電阻技術及產業(yè)化研究
國家科技攻關計劃第二負責人完成：功率型高亮度發(fā)光二極管及封裝產業(yè)化關鍵技術
省科技項目負責人完成：發(fā)光二極管制備關鍵技術研究
省科技對接項目第二負責人完成：InP PIN光電探測器產業(yè)化研究
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教學情況：
指導多名碩士研究生。
主講《半導體激光器物理》、《信息光電材料及其應用》、《現代實驗方法》、《半導體光電性質》、《半導體激光器原理》、《現代半導體器件物理》，《量子電子學》、《激光物理》《發(fā)光物理專題》和《文獻專題》研究生課程。
主講《半導體激光器原理》和《C語言》《計算物理》、《半導體器件物理》《色度學》等本科生課程，上機輔導《國際網絡上的八種具體操作方法》。
